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FQP10N20C

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Especificaciones

Número de pieza

FQP10N20C
Fabricante / Marca

Fairchild (onsemi)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.FQP10N20C.pdf
2.FQP10N20C.pdf
Voltaje - Prueba

510pF @ 25V
Tensión - Desglose

TO-220-3
VGS (th) (Max) @Id

360 mOhm @ 4.75A, 10V
Vgs (Max)

10V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Serie

QFET®
Estado RoHS

Tube
RDS (Max) @Id, Vgs

9.5A (Tc)
Polarización

TO-220-3
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

6 Weeks
Número de pieza del fabricante

FQP10N20C
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

26nC @ 10V
Tipo de IGBT

±30V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

4V @ 250µA
Característica de FET

N-Channel
Descripción ampliada

N-Channel 200V 9.5A (Tc) 72W (Tc) Through Hole TO-220-3
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

-
Descripción

MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-220
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

200V
relación de capacidades

72W (Tc)

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