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FR6BR02

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200+

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Especificaciones

Número de pieza

FR6BR02
Fabricante / Marca

GeneSiC Semiconductor
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE GEN PURP REV 100V 6A DO4
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.FR6BR02.pdf
2.FR6BR02.pdf
Tensión - inversa de pico (máxima)

Standard, Reverse Polarity
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

6A
Tensión - Desglose

DO-4
Serie

-
Estado RoHS

Bulk
Tiempo de recuperación inversa (trr)

Fast Recovery = 200mA (Io)
Resistencia @ Si, F

-
Polarización

DO-203AA, DO-4, Stud
Otros nombres

FR6BR02GN
Temperatura de funcionamiento - Junction

200ns
Tipo de montaje

Chassis, Stud Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

10 Weeks
Número de pieza del fabricante

FR6BR02
Descripción ampliada

Diode Standard, Reverse Polarity 100V 6A Chassis, Stud Mount DO-4
configuración de diodo

25µA @ 50V
Descripción

DIODE GEN PURP REV 100V 6A DO4
Corriente - Fuga inversa a Vr

1.4V @ 6A
Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)

100V
Capacitancia Vr, F

-65°C ~ 150°C

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