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GA50JT06-258

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Especificaciones
  • Número de pieza
    GA50JT06-258
  • Fabricante / Marca
    GeneSiC Semiconductor
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS SJT 600V 100A
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    GA50JT06-258.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    -
  • Vgs (Max)
    -
  • Tecnología
    SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Paquete del dispositivo
    TO-258
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    25 mOhm @ 50A
  • La disipación de energía (máximo)
    769W (Tc)
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    TO-258-3, TO-258AA
  • Otros nombres
    1242-1253
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 225°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    18 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo FET
    -
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    -
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    600V
  • Descripción detallada
    600V 100A (Tc) 769W (Tc) Through Hole TO-258
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    100A (Tc)

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