GBU6M

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Especificaciones

Número de pieza

GBU6M
Fabricante / Marca

GeneSiC Semiconductor
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE BRIDGE 1000V 6A GBU
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.GBU6M.pdf
2.GBU6M.pdf
Tensión - inversa de pico (máxima)

1kV
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

1.1V @ 6A
Tecnología

Standard
Paquete del dispositivo

GBU
Serie

-
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

4-SIP, GBU
Otros nombres

GBU6MGN
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

4 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo

Single Phase
Descripción detallada

Bridge Rectifier Single Phase Standard 1kV Through Hole GBU
Corriente - Fuga inversa a Vr

5µA @ 1000V
Corriente - rectificada media (Io)

6A

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Descripción: RECT BRIDGE GPP 6A 800V GBU

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