KBU8M

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Especificaciones

Número de pieza

KBU8M
Fabricante / Marca

GeneSiC Semiconductor
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE BRIDGE 1000V 8A KBU
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.KBU8M.pdf
2.KBU8M.pdf
Tensión - inversa de pico (máxima)

1kV
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

1V @ 8A
Tecnología

Standard
Paquete del dispositivo

KBU
Serie

-
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

4-SIP, KBU
Otros nombres

1242-1284
KBU8MGN
KBU8MGN-ND
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

4 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo

Single Phase
Descripción detallada

Bridge Rectifier Single Phase Standard 1kV Through Hole KBU
Corriente - Fuga inversa a Vr

10µA @ 1000V
Corriente - rectificada media (Io)

8A

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