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MBR200200CT

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Especificaciones
  • Número de pieza
    MBR200200CT
  • Fabricante / Marca
    GeneSiC Semiconductor
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE SCHOTTKY 200V 100A 2 TOWER
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    MBR200200CT.pdf
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    920mV @ 100A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    200V
  • Paquete del dispositivo
    Twin Tower
  • Velocidad
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    Twin Tower
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -55°C ~ 150°C
  • Tipo de montaje
    Chassis Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    4 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Schottky
  • configuración de diodo
    1 Pair Common Cathode
  • Descripción detallada
    Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 200V 100A Chassis Mount Twin Tower
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    3mA @ 200V
  • Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)
    100A

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