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Imagen MBR2X080A180

GeneSiC Semiconductor

MBR2X080A180

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Especificaciones

Número de pieza

MBR2X080A180
Fabricante / Marca

GeneSiC Semiconductor
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE SCHOTTKY 180V 80A SOT227
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

MBR2X080A180.pdf
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

920mV @ 80A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

180V
Paquete del dispositivo

SOT-227
Velocidad

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

-
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

SOT-227-4, miniBLOC
Temperatura de funcionamiento - Junction

-40°C ~ 150°C
Tipo de montaje

Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

4 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo

Schottky
configuración de diodo

2 Independent
Descripción detallada

Diode Array 2 Independent Schottky 180V 80A Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC
Corriente - Fuga inversa a Vr

3mA @ 180V
Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)

80A

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