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Imagen MBR30035CT

GeneSiC Semiconductor

MBR30035CT

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25+

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Especificaciones

Número de pieza

MBR30035CT
Fabricante / Marca

GeneSiC Semiconductor
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE MODULE 35V 200A 2TOWER
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.MBR30035CT.pdf
2.MBR30035CT.pdf
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

650mV @ 150A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

35V
Paquete del dispositivo

Twin Tower
Velocidad

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

-
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

Twin Tower
Otros nombres

1242-1050
Temperatura de funcionamiento - Junction

-55°C ~ 150°C
Tipo de montaje

Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

4 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo

Schottky
configuración de diodo

1 Pair Common Cathode
Descripción detallada

Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 35V 200A (DC) Chassis Mount Twin Tower
Corriente - Fuga inversa a Vr

8mA @ 20V
Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)

200A (DC)

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