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MBR3580R

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Especificaciones
  • Número de pieza
    MBR3580R
  • Fabricante / Marca
    GeneSiC Semiconductor
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE SCHOTTKY REV 80V DO4
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    1.MBR3580R.pdf
    2.MBR3580R.pdf
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    840mV @ 35A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    80V
  • Paquete del dispositivo
    DO-4
  • Velocidad
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    DO-203AA, DO-4, Stud
  • Otros nombres
    MBR3580RGN
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -55°C ~ 150°C
  • Tipo de montaje
    Chassis, Stud Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    10 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Schottky, Reverse Polarity
  • Descripción detallada
    Diode Schottky, Reverse Polarity 80V 35A Chassis, Stud Mount DO-4
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    1.5mA @ 20V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    35A
  • Capacitancia Vr, F
    -

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