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2502815Imagen MBR60080CTGeneSiC Semiconductor

MBR60080CT

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Especificaciones
  • Número de pieza
    MBR60080CT
  • Fabricante / Marca
    GeneSiC Semiconductor
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE MODULE 80V 300A 2TOWER
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    1.MBR60080CT.pdf
    2.MBR60080CT.pdf
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    880mV @ 300A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    80V
  • Paquete del dispositivo
    Twin Tower
  • Velocidad
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    Twin Tower
  • Otros nombres
    MBR60080CTGN
  • Tipo de montaje
    Chassis Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    4 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Schottky
  • configuración de diodo
    1 Pair Common Cathode
  • Descripción detallada
    Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 80V 300A Chassis Mount Twin Tower
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    1mA @ 20V
  • Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)
    300A

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