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1954052

Imagen MBRH200100R

GeneSiC Semiconductor

MBRH200100R

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50+

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Especificaciones

Número de pieza

MBRH200100R
Fabricante / Marca

GeneSiC Semiconductor
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE SCHOTTKY 100V 200A D-67
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.MBRH200100R.pdf
2.MBRH200100R.pdf
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

840mV @ 200A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

100V
Paquete del dispositivo

D-67
Velocidad

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

-
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

D-67
Otros nombres

MBRH200100RGN
Tipo de montaje

Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

4 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo

Schottky, Reverse Polarity
Descripción detallada

Diode Schottky, Reverse Polarity 100V 200A Chassis Mount D-67
Corriente - Fuga inversa a Vr

5mA @ 20V
Corriente - rectificada media (Io)

200A
Capacitancia Vr, F

-

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