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Imagen MBRT300200

GeneSiC Semiconductor

MBRT300200

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Especificaciones

Número de pieza

MBRT300200
Fabricante / Marca

GeneSiC Semiconductor
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE SCHOTTKY 200V 150A 3 TOWER
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

MBRT300200.pdf
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

920mV @ 150A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

200V
Paquete del dispositivo

Three Tower
Velocidad

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

-
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

Three Tower
Temperatura de funcionamiento - Junction

-55°C ~ 150°C
Tipo de montaje

Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

4 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo

Schottky
configuración de diodo

1 Pair Common Cathode
Descripción detallada

Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 200V 150A Chassis Mount Three Tower
Corriente - Fuga inversa a Vr

1mA @ 200V
Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)

150A

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