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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Diodos-rectificadores-matrices > MBRTA60035

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2189604

Imagen MBRTA60035

GeneSiC Semiconductor

MBRTA60035

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Especificaciones

Número de pieza

MBRTA60035
Fabricante / Marca

GeneSiC Semiconductor
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE SCHOTTKY 35V 300A 3TOWER
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

MBRTA60035.pdf
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

700mV @ 300A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

35V
Paquete del dispositivo

Three Tower
Velocidad

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

-
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

Three Tower
Temperatura de funcionamiento - Junction

-55°C ~ 150°C
Tipo de montaje

Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo

Schottky
configuración de diodo

1 Pair Common Cathode
Descripción detallada

Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 35V 300A Chassis Mount Three Tower
Corriente - Fuga inversa a Vr

1mA @ 35V
Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)

300A

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