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917696Imagen MSRT250120(A)GeneSiC Semiconductor

MSRT250120(A)

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Especificaciones
  • Número de pieza
    MSRT250120(A)
  • Fabricante / Marca
    GeneSiC Semiconductor
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE MODULE 1.2KV 250A 3TOWER
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    MSRT250120(A).pdf
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.2V @ 250A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    1200V
  • Paquete del dispositivo
    Three Tower
  • Velocidad
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    Three Tower
  • Otros nombres
    MSRT250120(A)GN
    MSRT250120A
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -55°C ~ 150°C
  • Tipo de montaje
    Chassis Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    10 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • configuración de diodo
    1 Pair Common Cathode
  • Descripción detallada
    Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 1200V 250A (DC) Chassis Mount Three Tower
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    15µA @ 600V
  • Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)
    250A (DC)

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Existencias disponibles
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MSRT250100(A)

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Descripción: DIODE MODULE 1KV 250A 3TOWER

Fabricantes: GeneSiC Semiconductor
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MSRT200140(A)

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Descripción: DIODE MODULE 1.4KV 200A 3TOWER

Fabricantes: GeneSiC Semiconductor
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Descripción: DIODE GEN 1KV 200A 3 TOWER

Fabricantes: GeneSiC Semiconductor
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Descripción: DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER

Fabricantes: GeneSiC Semiconductor
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Descripción: DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWER

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