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1278281Imagen MSRTA400100(A)GeneSiC Semiconductor

MSRTA400100(A)

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Especificaciones
  • Número de pieza
    MSRTA400100(A)
  • Fabricante / Marca
    GeneSiC Semiconductor
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE MODULE 1KV 400A 3TOWER
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    1.MSRTA400100(A).pdf
    2.MSRTA400100(A).pdf
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.2V @ 400A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    1000V
  • Paquete del dispositivo
    Three Tower
  • Velocidad
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    Three Tower
  • Otros nombres
    MSRTA400100(A)GN
    MSRTA400100A
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -55°C ~ 150°C
  • Tipo de montaje
    Chassis Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    10 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • configuración de diodo
    1 Pair Common Cathode
  • Descripción detallada
    Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 1000V 400A (DC) Chassis Mount Three Tower
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    25µA @ 600V
  • Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)
    400A (DC)

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Fabricantes: GeneSiC Semiconductor
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Descripción: DIODE MODULE 1KV 300A 3TOWER

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Descripción: DIODE GEN PURP 600V 300A 3 TOWER

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