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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Diodos-rectificadores-matrices > MURTA600120

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Imagen MURTA600120

GeneSiC Semiconductor

MURTA600120

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Especificaciones

Número de pieza

MURTA600120
Fabricante / Marca

GeneSiC Semiconductor
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE GEN 1.2KV 300A 3 TOWER
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

MURTA600120.pdf
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

2.6V @ 300A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

1200V
Paquete del dispositivo

Three Tower
Velocidad

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie

-
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

Three Tower
Temperatura de funcionamiento - Junction

-55°C ~ 150°C
Tipo de montaje

Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

4 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo

Standard
configuración de diodo

1 Pair Common Cathode
Descripción detallada

Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 1200V 300A Chassis Mount Three Tower
Corriente - Fuga inversa a Vr

25µA @ 1200V
Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)

300A

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