S12B

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Especificaciones

Número de pieza

S12B
Fabricante / Marca

GeneSiC Semiconductor
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE GEN PURP 100V 12A DO4
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.S12B.pdf
2.S12B.pdf
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

1.1V @ 12A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

100V
Paquete del dispositivo

DO-4
Velocidad

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie

-
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

DO-203AA, DO-4, Stud
Otros nombres

1242-1285
S12BGN
S12BGN-ND
Temperatura de funcionamiento - Junction

-65°C ~ 175°C
Tipo de montaje

Chassis, Stud Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

10 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo

Standard
Descripción detallada

Diode Standard 100V 12A Chassis, Stud Mount DO-4
Corriente - Fuga inversa a Vr

10µA @ 50V
Corriente - rectificada media (Io)

12A
Capacitancia Vr, F

-

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