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S12DR

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Especificaciones
  • Número de pieza
    S12DR
  • Fabricante / Marca
    GeneSiC Semiconductor
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO4
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    1.S12DR.pdf
    2.S12DR.pdf
  • Tensión - inversa de pico (máxima)
    Standard, Reverse Polarity
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    12A
  • Tensión - Desglose
    DO-4
  • Serie
    -
  • Estado RoHS
    Bulk
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Resistencia @ Si, F
    -
  • Polarización
    DO-203AA, DO-4, Stud
  • Otros nombres
    S12DRGN
  • Tipo de montaje
    Chassis, Stud Mount
  • Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    10 Weeks
  • Número de pieza del fabricante
    S12DR
  • Descripción ampliada
    Diode Standard, Reverse Polarity 200V 12A Chassis, Stud Mount DO-4
  • configuración de diodo
    10µA @ 50V
  • Descripción
    DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO4
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    1.1V @ 12A
  • Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)
    200V
  • Capacitancia Vr, F
    -65°C ~ 175°C

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Descripción: DIODE GEN PURP 200V 12A DO4

Fabricantes: GeneSiC Semiconductor
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Descripción: DIODE GEN PURP REV 400V 12A DO4

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Descripción: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

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Descripción: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

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Descripción: DIODE GEN PURP REV 100V 12A DO4

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Descripción: DIODE GEN PURP 600V 12A DO4

Fabricantes: GeneSiC Semiconductor
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Descripción: CONN HEADER ZH SIDE 12POS 1.5MM

Fabricantes: JST
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Descripción: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
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Descripción: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

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