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3624167Imagen GDP30S120BGlobal Power Technologies Group

GDP30S120B

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Especificaciones
  • Número de pieza
    GDP30S120B
  • Fabricante / Marca
    SemiQ
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 30A TO247-2
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    GDP30S120B.pdf
  • Tensión - inversa de pico (máxima)
    Silicon Carbide Schottky
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    30A (DC)
  • Tensión - Desglose
    TO-247-2
  • Serie
    Amp+™
  • Estado RoHS
    Tube
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Resistencia @ Si, F
    1790pF @ 1V, 1MHz
  • Polarización
    TO-247-2
  • Otros nombres
    1560-1025-5
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    0ns
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Número de pieza del fabricante
    GDP30S120B
  • Descripción ampliada
    Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 30A (DC) Through Hole TO-247-2
  • configuración de diodo
    100µA @ 1200V
  • Descripción
    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 30A TO247-2
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    1.7V @ 30A
  • Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)
    1200V (1.2kV)
  • Capacitancia Vr, F
    -55°C ~ 135°C

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