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3317114Imagen GP2D003A065AGlobal Power Technologies Group

GP2D003A065A

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Especificaciones
  • Número de pieza
    GP2D003A065A
  • Fabricante / Marca
    SemiQ
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE SCHOTTKY 650V 3A TO220-2
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    GP2D003A065A.pdf
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.65V @ 3A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    650V
  • Paquete del dispositivo
    TO-220-2
  • Velocidad
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Serie
    Amp+™
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    0ns
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    TO-220-2
  • Otros nombres
    1560-1034-5
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -55°C ~ 175°C
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    10 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Silicon Carbide Schottky
  • Descripción detallada
    Diode Silicon Carbide Schottky 650V 3A (DC) Through Hole TO-220-2
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    30µA @ 650V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    3A (DC)
  • Capacitancia Vr, F
    158pF @ 1V, 1MHz

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