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HTNFET-DC

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1+
$450.23
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Especificaciones
  • Número de pieza
    HTNFET-DC
  • Fabricante / Marca
    Honeywell Aerospace
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 55V 8-DIP
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    HTNFET-DC.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    2.4V @ 100µA
  • Vgs (Max)
    10V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    -
  • Serie
    HTMOS™
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    400 mOhm @ 100mA, 5V
  • La disipación de energía (máximo)
    50W (Tj)
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    8-CDIP Exposed Pad
  • Temperatura de funcionamiento
    -
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    8 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    290pF @ 28V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    4.3nC @ 5V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    5V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    55V
  • Descripción detallada
    N-Channel 55V 50W (Tj) Through Hole
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    -

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Descripción: MOSFET N-CH 55V 8-DIP

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Descripción: SLEEVING 3/4" X 75' BLACK/WHITE

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HTN2.00TB

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Descripción: SLEEVING 2" X 200' BLACK/WHITE

Fabricantes: Techflex
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