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70P265L65BYGI8

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Especificaciones
  • Número de pieza
    70P265L65BYGI8
  • Fabricante / Marca
    IDT (Renesas Electronics Corporation)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC SRAM 256K PARALLEL 100CABGA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    70P265L65BYGI8.pdf
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    65ns
  • Suministro de voltaje
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Tecnología
    SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Paquete del dispositivo
    100-CABGA (6x6)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    100-TFBGA
  • Otros nombres
    IDT70P265L65BYGI8
    IDT70P265L65BYGI8-ND
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    256Kb (16K x 16)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    SRAM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 256Kb (16K x 16) Parallel 65ns 100-CABGA (6x6)
  • Tiempo de acceso
    65ns

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Descripción: IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

Fabricantes: IDT (Integrated Device Technology)
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Descripción: IC SRAM 256K PARALLEL 100CABGA

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