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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > 70T3339S133BFI

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Imagen 70T3339S133BFI

IDT (Integrated Device Technology)

70T3339S133BFI

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Existencias disponibles

14+

$154.304

Consulta en línea

Especificaciones

Número de pieza

70T3339S133BFI
Fabricante / Marca

IDT (Renesas Electronics Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

70T3339S133BFI.pdf
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página

-
Suministro de voltaje

2.4 V ~ 2.6 V
Tecnología

SRAM - Dual Port, Synchronous
Paquete del dispositivo

208-CABGA (15x15)
Serie

-
embalaje

Tray
Paquete / Cubierta

208-LFBGA
Otros nombres

800-1378
IDT70T3339S133BFI
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

4 (72 Hours)
Tipo de memoria

Volatile
Tamaño de la memoria

9Mb (512K x 18)
Interfaz de memoria

Parallel
Formato de memoria

SRAM
Tiempo de entrega estándar del fabricante

10 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada

SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 9Mb (512K x 18) Parallel 133MHz 4.2ns 208-CABGA (15x15)
Frecuencia de reloj

133MHz
Número de pieza base

IDT70T3339
Tiempo de acceso

4.2ns

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