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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > 70T3519S133BC8

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Imagen 70T3519S133BC8

IDT (Integrated Device Technology)

70T3519S133BC8

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Existencias disponibles

1000+

$125.924

Consulta en línea

Especificaciones

Número de pieza

70T3519S133BC8
Fabricante / Marca

IDT (Renesas Electronics Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

1.70T3519S133BC8.pdf
2.70T3519S133BC8.pdf
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página

-
Suministro de voltaje

2.4 V ~ 2.6 V
Tecnología

SRAM - Dual Port, Synchronous
Paquete del dispositivo

256-CABGA (17x17)
Serie

-
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

256-LBGA
Otros nombres

IDT70T3519S133BC8
IDT70T3519S133BC8-ND
Temperatura de funcionamiento

0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

4 (72 Hours)
Tipo de memoria

Volatile
Tamaño de la memoria

9Mb (256K x 36)
Interfaz de memoria

Parallel
Formato de memoria

SRAM
Tiempo de entrega estándar del fabricante

10 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Descripción detallada

SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 9Mb (256K x 36) Parallel 133MHz 4.2ns 256-CABGA (17x17)
Frecuencia de reloj

133MHz
Número de pieza base

IDT70T3519
Tiempo de acceso

4.2ns

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