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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > 70V261L35PF8

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Imagen 70V261L35PF8

IDT (Integrated Device Technology)

70V261L35PF8

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Especificaciones

Número de pieza

70V261L35PF8
Fabricante / Marca

IDT (Renesas Electronics Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IC SRAM 256K PARALLEL 100TQFP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

1.70V261L35PF8.pdf
2.70V261L35PF8.pdf
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página

35ns
Suministro de voltaje

3 V ~ 3.6 V
Tecnología

SRAM - Dual Port, Asynchronous
Paquete del dispositivo

100-TQFP (14x14)
Serie

-
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

100-LQFP
Otros nombres

IDT70V261L35PF8
IDT70V261L35PF8-ND
Temperatura de funcionamiento

0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Tipo de memoria

Volatile
Tamaño de la memoria

256Kb (16K x 16)
Interfaz de memoria

Parallel
Formato de memoria

SRAM
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Descripción detallada

SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 256Kb (16K x 16) Parallel 35ns 100-TQFP (14x14)
Número de pieza base

IDT70V261
Tiempo de acceso

35ns

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