71016S15YG8

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Especificaciones

Número de pieza

71016S15YG8
Fabricante / Marca

IDT (Renesas Electronics Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

71016S15YG8.pdf
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página

15ns
Suministro de voltaje

4.5 V ~ 5.5 V
Tecnología

SRAM - Asynchronous
Paquete del dispositivo

44-SOJ
Serie

-
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Otros nombres

IDT71016S15YG8
IDT71016S15YG8-ND
Temperatura de funcionamiento

0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Tipo de memoria

Volatile
Tamaño de la memoria

1Mb (64K x 16)
Interfaz de memoria

Parallel
Formato de memoria

SRAM
Tiempo de entrega estándar del fabricante

10 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada

SRAM - Asynchronous Memory IC 1Mb (64K x 16) Parallel 15ns 44-SOJ
Número de pieza base

IDT71016
Tiempo de acceso

15ns

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