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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > 7164L35DB

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Imagen 7164L35DB

IDT (Integrated Device Technology)

7164L35DB

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169+

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Especificaciones

Número de pieza

7164L35DB
Fabricante / Marca

IDT (Renesas Electronics Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IC SRAM 64K PARALLEL 28CERDIP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

1.7164L35DB.pdf
2.7164L35DB.pdf
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página

35ns
Suministro de voltaje

4.5 V ~ 5.5 V
Tecnología

SRAM - Asynchronous
Paquete del dispositivo

28-CerDip
Serie

-
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

28-CDIP (0.600", 15.24mm)
Otros nombres

IDT7164L35DB
IDT7164L35DB-ND
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 125°C (TA)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tipo de memoria

Volatile
Tamaño de la memoria

64Kb (8K x 8)
Interfaz de memoria

Parallel
Formato de memoria

SRAM
Tiempo de entrega estándar del fabricante

10 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Descripción detallada

SRAM - Asynchronous Memory IC 64Kb (8K x 8) Parallel 35ns 28-CerDip
Tiempo de acceso

35ns

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