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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > 71V35761SA200BGG8
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7073083Imagen 71V35761SA200BGG8IDT (Integrated Device Technology)

71V35761SA200BGG8

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Especificaciones
  • Número de pieza
    71V35761SA200BGG8
  • Fabricante / Marca
    IDT (Renesas Electronics Corporation)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    1.71V35761SA200BGG8.pdf
    2.71V35761SA200BGG8.pdf
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    -
  • Suministro de voltaje
    3.135 V ~ 3.465 V
  • Tecnología
    SRAM - Synchronous
  • Paquete del dispositivo
    119-PBGA (14x22)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    119-BGA
  • Otros nombres
    IDT71V35761SA200BGG8
    IDT71V35761SA200BGG8-ND
  • Temperatura de funcionamiento
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    4.5Mb (128K x 36)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    SRAM
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    10 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    SRAM - Synchronous Memory IC 4.5Mb (128K x 36) Parallel 200MHz 3.1ns 119-PBGA (14x22)
  • Frecuencia de reloj
    200MHz
  • Número de pieza base
    IDT71V35761
  • Tiempo de acceso
    3.1ns

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71V35761SA183BGGI8

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Descripción: IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

Fabricantes: IDT (Integrated Device Technology)
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71V35761SA200BG

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Descripción: IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

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Descripción: IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

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Descripción: IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

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Descripción: IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

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Descripción: IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA

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Descripción: IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA

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Descripción: IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

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