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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > 71V416S10BE

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Imagen 71V416S10BE

IDT (Integrated Device Technology)

71V416S10BE

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Existencias disponibles

250+

$5.466

Consulta en línea

Especificaciones

Número de pieza

71V416S10BE
Fabricante / Marca

IDT (Renesas Electronics Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IC SRAM 4M PARALLEL 48CABGA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

71V416S10BE.pdf
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página

10ns
Suministro de voltaje

3 V ~ 3.6 V
Tecnología

SRAM - Asynchronous
Paquete del dispositivo

48-CABGA (9x9)
Serie

-
embalaje

Tray
Paquete / Cubierta

48-TFBGA
Otros nombres

IDT71V416S10BE
IDT71V416S10BE-ND
Temperatura de funcionamiento

0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Tipo de memoria

Volatile
Tamaño de la memoria

4Mb (256K x 16)
Interfaz de memoria

Parallel
Formato de memoria

SRAM
Tiempo de entrega estándar del fabricante

10 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Descripción detallada

SRAM - Asynchronous Memory IC 4Mb (256K x 16) Parallel 10ns 48-CABGA (9x9)
Número de pieza base

IDT71V416
Tiempo de acceso

10ns

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