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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > 71V65703S80BG8

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Imagen 71V65703S80BG8

IDT (Integrated Device Technology)

71V65703S80BG8

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Existencias disponibles

1000+

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Consulta en línea

Especificaciones

Número de pieza

71V65703S80BG8
Fabricante / Marca

IDT (Renesas Electronics Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

1.71V65703S80BG8.pdf
2.71V65703S80BG8.pdf
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página

-
Suministro de voltaje

3.135 V ~ 3.465 V
Tecnología

SRAM - Synchronous ZBT
Paquete del dispositivo

119-PBGA (14x22)
Serie

-
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

119-BGA
Otros nombres

IDT71V65703S80BG8
IDT71V65703S80BG8-ND
Temperatura de funcionamiento

0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Tipo de memoria

Volatile
Tamaño de la memoria

9Mb (256K x 36)
Interfaz de memoria

Parallel
Formato de memoria

SRAM
Tiempo de entrega estándar del fabricante

10 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Descripción detallada

SRAM - Synchronous ZBT Memory IC 9Mb (256K x 36) Parallel 8ns 119-PBGA (14x22)
Número de pieza base

IDT71V65703
Tiempo de acceso

8ns

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