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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > IDT7164S35YG8
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2050401Imagen IDT7164S35YG8IDT (Integrated Device Technology)

IDT7164S35YG8

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Especificaciones
  • Número de pieza
    IDT7164S35YG8
  • Fabricante / Marca
    IDT (Renesas Electronics Corporation)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC SRAM 64K PARALLEL 28SOJ
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    1.IDT7164S35YG8.pdf
    2.IDT7164S35YG8.pdf
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    35ns
  • Suministro de voltaje
    4.5 V ~ 5.5 V
  • Tecnología
    SRAM - Asynchronous
  • Paquete del dispositivo
    28-SOJ
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
  • Otros nombres
    7164S35YG8
  • Temperatura de funcionamiento
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    64Kb (8K x 8)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    SRAM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    SRAM - Asynchronous Memory IC 64Kb (8K x 8) Parallel 35ns 28-SOJ
  • Número de pieza base
    IDT7164
  • Tiempo de acceso
    35ns

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