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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > IDT71P72804S200BQG
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3316650Imagen IDT71P72804S200BQGIDT (Integrated Device Technology)

IDT71P72804S200BQG

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Especificaciones
  • Número de pieza
    IDT71P72804S200BQG
  • Fabricante / Marca
    IDT (Renesas Electronics Corporation)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    IDT71P72804S200BQG.pdf
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    -
  • Suministro de voltaje
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Tecnología
    SRAM - Synchronous, QDR II
  • Paquete del dispositivo
    165-CABGA (13x15)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tray
  • Paquete / Cubierta
    165-TBGA
  • Otros nombres
    71P72804S200BQG
  • Temperatura de funcionamiento
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    18Mb (1M x 18)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    SRAM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    SRAM - Synchronous, QDR II Memory IC 18Mb (1M x 18) Parallel 200MHz 7.88ns 165-CABGA (13x15)
  • Frecuencia de reloj
    200MHz
  • Número de pieza base
    IDT71P72
  • Tiempo de acceso
    7.88ns

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IDT71P72804S167BQ

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Descripción: IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA

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