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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > IDT71V416YS15YI8
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3737673Imagen IDT71V416YS15YI8IDT (Integrated Device Technology)

IDT71V416YS15YI8

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Especificaciones
  • Número de pieza
    IDT71V416YS15YI8
  • Fabricante / Marca
    IDT (Renesas Electronics Corporation)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Especificaciones
    IDT71V416YS15YI8.pdf
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    15ns
  • Suministro de voltaje
    3 V ~ 3.6 V
  • Tecnología
    SRAM - Asynchronous
  • Paquete del dispositivo
    44-SOJ
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
  • Otros nombres
    71V416YS15YI8
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    4Mb (256K x 16)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    SRAM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Descripción detallada
    SRAM - Asynchronous Memory IC 4Mb (256K x 16) Parallel 15ns 44-SOJ
  • Número de pieza base
    IDT71V416
  • Tiempo de acceso
    15ns

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Descripción: IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ

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Descripción: IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

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Descripción: IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

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Descripción: IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ

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