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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > IDT71V65602S133BQ
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1674774Imagen IDT71V65602S133BQIDT (Integrated Device Technology)

IDT71V65602S133BQ

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Especificaciones
  • Número de pieza
    IDT71V65602S133BQ
  • Fabricante / Marca
    IDT (Renesas Electronics Corporation)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Especificaciones
    IDT71V65602S133BQ.pdf
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    -
  • Suministro de voltaje
    3.135 V ~ 3.465 V
  • Tecnología
    SRAM - Synchronous ZBT
  • Paquete del dispositivo
    119-PBGA (14x22)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tray
  • Paquete / Cubierta
    119-BGA
  • Otros nombres
    71V65602S133BQ
  • Temperatura de funcionamiento
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    9Mb (256K x 36)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    SRAM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Descripción detallada
    SRAM - Synchronous ZBT Memory IC 9Mb (256K x 36) Parallel 133MHz 4.2ns 119-PBGA (14x22)
  • Frecuencia de reloj
    133MHz
  • Número de pieza base
    IDT71V65602
  • Tiempo de acceso
    4.2ns

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Descripción: IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

Fabricantes: IDT (Integrated Device Technology)
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Descripción: IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

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