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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > IS25LP512M-JLLE-TR

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Imagen IS25LP512M-JLLE-TR

ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS25LP512M-JLLE-TR

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4000+

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Especificaciones

Número de pieza

IS25LP512M-JLLE-TR
Fabricante / Marca

Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IC FLASH 512M SPI 133MHZ 8WSON
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IS25LP512M-JLLE-TR.pdf
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página

1.6ms
Suministro de voltaje

2.3 V ~ 3.6 V
Tecnología

FLASH - NOR
Paquete del dispositivo

8-WSON (8x6)
Serie

-
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-WDFN Exposed Pad
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 105°C
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Tipo de memoria

Non-Volatile
Tamaño de la memoria

512Mb (64M x 8)
Interfaz de memoria

SPI - Quad I/O, QPI, DTR
Formato de memoria

FLASH
Tiempo de entrega estándar del fabricante

20 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada

FLASH - NOR Memory IC 512Mb (64M x 8) SPI - Quad I/O, QPI, DTR 133MHz 8-WSON (8x6)
Frecuencia de reloj

133MHz

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