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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > IS42RM16160D-7BLI

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Imagen IS42RM16160D-7BLI

ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS42RM16160D-7BLI

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Especificaciones

Número de pieza

IS42RM16160D-7BLI
Fabricante / Marca

Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IS42RM16160D-7BLI.pdf
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página

-
Suministro de voltaje

2.3 V ~ 2.7 V
Tecnología

SDRAM - Mobile
Paquete del dispositivo

54-TFBGA (8x13)
Serie

-
embalaje

Tray
Paquete / Cubierta

54-TFBGA
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Tipo de memoria

Volatile
Tamaño de la memoria

256Mb (16M x 16)
Interfaz de memoria

Parallel
Formato de memoria

DRAM
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada

SDRAM - Mobile Memory IC 256Mb (16M x 16) Parallel 143MHz 5.4ns 54-TFBGA (8x13)
Frecuencia de reloj

143MHz
Tiempo de acceso

5.4ns

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