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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > IS42S16100C1-7B
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2704531Imagen IS42S16100C1-7BISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS42S16100C1-7B

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Especificaciones
  • Número de pieza
    IS42S16100C1-7B
  • Fabricante / Marca
    Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC DRAM 16M PARALLEL 60TFBGA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Especificaciones
    1.IS42S16100C1-7B.pdf
    2.IS42S16100C1-7B.pdf
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    -
  • Suministro de voltaje
    3 V ~ 3.6 V
  • Tecnología
    SDRAM
  • Paquete del dispositivo
    60-TFBGA (6.4x10.1)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tray
  • Paquete / Cubierta
    60-TFBGA
  • Temperatura de funcionamiento
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    2 (1 Year)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    16Mb (1M x 16)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    DRAM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Descripción detallada
    SDRAM Memory IC 16Mb (1M x 16) Parallel 143MHz 5.5ns 60-TFBGA (6.4x10.1)
  • Frecuencia de reloj
    143MHz
  • Tiempo de acceso
    5.5ns

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Descripción: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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RFQ
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Descripción: IC DRAM 16M PARALLEL 60TFBGA

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Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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