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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > IS42S16400D-6T
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6862140Imagen IS42S16400D-6TISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS42S16400D-6T

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Especificaciones
  • Número de pieza
    IS42S16400D-6T
  • Fabricante / Marca
    Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Especificaciones
    1.IS42S16400D-6T.pdf
    2.IS42S16400D-6T.pdf
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    -
  • Suministro de voltaje
    3 V ~ 3.6 V
  • Tecnología
    SDRAM
  • Paquete del dispositivo
    54-TSOP II
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tray
  • Paquete / Cubierta
    54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Temperatura de funcionamiento
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    2 (1 Year)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    64Mb (4M x 16)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    DRAM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Descripción detallada
    SDRAM Memory IC 64Mb (4M x 16) Parallel 166MHz 5ns 54-TSOP II
  • Frecuencia de reloj
    166MHz
  • Tiempo de acceso
    5ns

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Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Descripción: IC DRAM 64M PARALLEL 60MINIBGA

Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Descripción: IC DRAM 64M PARALLEL 60MINIBGA

Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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