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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > IS42S32160F-6TL-TR
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1975533Imagen IS42S32160F-6TL-TRISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS42S32160F-6TL-TR

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Especificaciones
  • Número de pieza
    IS42S32160F-6TL-TR
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC DRAM 512M PARALLEL 86TSOP II
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    -
  • Suministro de voltaje
    3 V ~ 3.6 V
  • Tecnología
    SDRAM
  • Paquete del dispositivo
    86-TSOP II
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Temperatura de funcionamiento
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    512Mb (16M x 32)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    DRAM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    SDRAM Memory IC 512Mb (16M x 32) Parallel 167MHz 5.4ns 86-TSOP II
  • Frecuencia de reloj
    167MHz
  • Tiempo de acceso
    5.4ns
IS42S32160F-6TL

IS42S32160F-6TL

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 86TSOP II

Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Existencias disponibles
IS42S32160F-6TLI-TR

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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 86TSOP II

Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Existencias disponibles
IS42S32160F-6BL-TR

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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA

Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Existencias disponibles
IS42S32160D-7BLI

IS42S32160D-7BLI

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA

Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Existencias disponibles
IS42S32160F-75EBLI

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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA

Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Existencias disponibles
IS42S32160D-7BL

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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA

Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA

Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA

Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA

Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS42S32160F-6TLI

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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 86TSOP II

Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS42S32160F-75EBL-TR

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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA

Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 86TSOP II

Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA

Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS42S32160F-75EBL

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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA

Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 86TSOP II

Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA

Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS42S32160F-6BL

IS42S32160F-6BL

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA

Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS42S32160F-75ETLI

IS42S32160F-75ETLI

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 86TSOP II

Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS42S32160D-7BLI-TR

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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA

Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 86TSOP II

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