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4496026Imagen IS42S32800J-75ETL-TRISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS42S32800J-75ETL-TR

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Especificaciones
  • Número de pieza
    IS42S32800J-75ETL-TR
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    -
  • Suministro de voltaje
    3 V ~ 3.6 V
  • Tecnología
    SDRAM
  • Paquete del dispositivo
    86-TSOP II
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Temperatura de funcionamiento
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    256Mb (8M x 32)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    DRAM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    SDRAM Memory IC 256Mb (8M x 32) Parallel 133MHz 6ns 86-TSOP II
  • Frecuencia de reloj
    133MHz
  • Tiempo de acceso
    6ns
IS42S32800J-7BLI

IS42S32800J-7BLI

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Existencias disponibles
IS42S32800J-7TL

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Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Existencias disponibles
IS42S32800J-75ETL

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Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS42S32800J-6BLI-TR

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Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS42S32800J-75EBL

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Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

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Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

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Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

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Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

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