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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > IS42S81600E-6TL

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Imagen IS42S81600E-6TL

ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS42S81600E-6TL

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Especificaciones

Número de pieza

IS42S81600E-6TL
Fabricante / Marca

Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.IS42S81600E-6TL.pdf
2.IS42S81600E-6TL.pdf
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página

-
Suministro de voltaje

3 V ~ 3.6 V
Tecnología

SDRAM
Paquete del dispositivo

54-TSOP II
Serie

-
embalaje

Tray
Paquete / Cubierta

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Temperatura de funcionamiento

0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Tipo de memoria

Volatile
Tamaño de la memoria

128Mb (16M x 8)
Interfaz de memoria

Parallel
Formato de memoria

DRAM
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada

SDRAM Memory IC 128Mb (16M x 8) Parallel 166MHz 5.4ns 54-TSOP II
Frecuencia de reloj

166MHz
Tiempo de acceso

5.4ns

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