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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > IS42VM32160E-6BLI-TR
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5426462Imagen IS42VM32160E-6BLI-TRISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS42VM32160E-6BLI-TR

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Especificaciones
  • Número de pieza
    IS42VM32160E-6BLI-TR
  • Fabricante / Marca
    Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    IS42VM32160E-6BLI-TR.pdf
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    -
  • Suministro de voltaje
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Tecnología
    SDRAM - Mobile
  • Paquete del dispositivo
    90-TFBGA (8x13)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    90-TFBGA
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    512Mb (16M x 32)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    DRAM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    SDRAM - Mobile Memory IC 512Mb (16M x 32) Parallel 166MHz 5.5ns 90-TFBGA (8x13)
  • Frecuencia de reloj
    166MHz
  • Tiempo de acceso
    5.5ns

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Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Descripción: IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA

Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA

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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA

Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Descripción: IC DRAM 32M PARALLEL 133MHZ

Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Descripción: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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