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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > IS43DR16160B-37CBLI
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4391857Imagen IS43DR16160B-37CBLIISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS43DR16160B-37CBLI

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Especificaciones
  • Número de pieza
    IS43DR16160B-37CBLI
  • Fabricante / Marca
    Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    1.IS43DR16160B-37CBLI.pdf
    2.IS43DR16160B-37CBLI.pdf
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    15ns
  • Suministro de voltaje
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Tecnología
    SDRAM - DDR2
  • Paquete del dispositivo
    84-TWBGA (8x12.5)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tray
  • Paquete / Cubierta
    84-TFBGA
  • Otros nombres
    706-1274
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    256Mb (16M x 16)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    DRAM
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    6 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    SDRAM - DDR2 Memory IC 256Mb (16M x 16) Parallel 266MHz 500ps 84-TWBGA (8x12.5)
  • Frecuencia de reloj
    266MHz
  • Tiempo de acceso
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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA

Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA

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Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA

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