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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > IS43DR82560B-3DBL-TR

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IS43DR82560B-3DBL-TR

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Especificaciones

Número de pieza

IS43DR82560B-3DBL-TR
Fabricante / Marca

Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IC DRAM 2G PARALLEL 60TWBGA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IS43DR82560B-3DBL-TR.pdf
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página

15ns
Suministro de voltaje

1.7 V ~ 1.9 V
Tecnología

SDRAM - DDR2
Paquete del dispositivo

60-TWBGA (10.5x13)
Serie

-
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

60-TFBGA
Temperatura de funcionamiento

0°C ~ 70°C
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Tipo de memoria

Volatile
Tamaño de la memoria

2Gb (256M x 8)
Interfaz de memoria

Parallel
Formato de memoria

DRAM
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada

SDRAM - DDR2 Memory IC 2Gb (256M x 8) Parallel 333MHz 450ps 60-TWBGA (10.5x13)
Frecuencia de reloj

333MHz
Tiempo de acceso

450ps

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