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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > IS43LR32160C-6BLI

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Imagen IS43LR32160C-6BLI

ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS43LR32160C-6BLI

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240+

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Especificaciones

Número de pieza

IS43LR32160C-6BLI
Fabricante / Marca

Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IS43LR32160C-6BLI.pdf
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página

12ns
Suministro de voltaje

1.7 V ~ 1.95 V
Tecnología

SDRAM - Mobile LPDDR
Paquete del dispositivo

90-TFBGA (8x13)
Serie

-
embalaje

Tray
Paquete / Cubierta

90-TFBGA
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Tipo de memoria

Volatile
Tamaño de la memoria

512Mb (16M x 32)
Interfaz de memoria

Parallel
Formato de memoria

DRAM
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada

SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 512Mb (16M x 32) Parallel 166MHz 5.5ns 90-TFBGA (8x13)
Frecuencia de reloj

166MHz
Tiempo de acceso

5.5ns

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