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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > IS43R86400F-6TLI
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4828645Imagen IS43R86400F-6TLIISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS43R86400F-6TLI

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Especificaciones
  • Número de pieza
    IS43R86400F-6TLI
  • Fabricante / Marca
    Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    IS43R86400F-6TLI.pdf
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    15ns
  • Suministro de voltaje
    2.3 V ~ 2.7 V
  • Tecnología
    SDRAM - DDR
  • Paquete del dispositivo
    66-TSOP II
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tray
  • Paquete / Cubierta
    66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    512Mb (64M x 8)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    DRAM
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    8 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    SDRAM - DDR Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 166MHz 700ps 66-TSOP II
  • Frecuencia de reloj
    166MHz
  • Tiempo de acceso
    700ps

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Descripción: IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ

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