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2468314Imagen IS43TR16256A-107MBLI-TRISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS43TR16256A-107MBLI-TR

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Especificaciones
  • Número de pieza
    IS43TR16256A-107MBLI-TR
  • Fabricante / Marca
    Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    IS43TR16256A-107MBLI-TR.pdf
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    15ns
  • Suministro de voltaje
    1.425 V ~ 1.575 V
  • Tecnología
    SDRAM - DDR3
  • Paquete del dispositivo
    96-TWBGA (9x13)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    96-TFBGA
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    4Gb (256M x 16)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    DRAM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    SDRAM - DDR3 Memory IC 4Gb (256M x 16) Parallel 933MHz 20ns 96-TWBGA (9x13)
  • Frecuencia de reloj
    933MHz
  • Tiempo de acceso
    20ns

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Descripción: IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS43TR16128CL-15HBLI

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Descripción: IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS43TR16256AL-107MBL-TR

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Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA

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IS43TR16256A-107MBL-TR

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Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA

Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS43TR16256A-107MBLI

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Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA

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IS43TR16256A-15HBLI-TR

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Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA

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Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA

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