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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > IS46R16160F-6BLA2-TR
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5836606Imagen IS46R16160F-6BLA2-TRISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS46R16160F-6BLA2-TR

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Especificaciones
  • Número de pieza
    IS46R16160F-6BLA2-TR
  • Fabricante / Marca
    Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    IS46R16160F-6BLA2-TR.pdf
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    15ns
  • Suministro de voltaje
    2.3 V ~ 2.7 V
  • Tecnología
    SDRAM - DDR
  • Paquete del dispositivo
    60-TFBGA (13x8)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    60-TFBGA
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 105°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    256Mb (16M x 16)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    DRAM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    SDRAM - DDR Memory IC 256Mb (16M x 16) Parallel 166MHz 700ps 60-TFBGA (13x8)
  • Frecuencia de reloj
    166MHz
  • Tiempo de acceso
    700ps

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IS46R16160F-6TLA2

IS46R16160F-6TLA2

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS46R16160D-6TLA1-TR

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Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA

Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS46R16160F-5TLA1-TR

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Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA

Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

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Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

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Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

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