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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > IS49NLS18160-33WBLI

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Imagen IS49NLS18160-33WBLI

ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS49NLS18160-33WBLI

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Especificaciones

Número de pieza

IS49NLS18160-33WBLI
Fabricante / Marca

Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IC DRAM 288M PARALLEL 300MHZ
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IS49NLS18160-33WBLI.pdf
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página

-
Suministro de voltaje

1.7 V ~ 1.9 V
Tecnología

DRAM
Paquete del dispositivo

144-TWBGA (11x18.5)
Serie

-
embalaje

Tray
Paquete / Cubierta

144-TFBGA
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Tipo de memoria

Volatile
Tamaño de la memoria

288Mb (16M x 18)
Interfaz de memoria

Parallel
Formato de memoria

DRAM
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada

DRAM Memory IC 288Mb (16M x 18) Parallel 300MHz 20ns 144-TWBGA (11x18.5)
Frecuencia de reloj

300MHz
Tiempo de acceso

20ns

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