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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > IS49RL36160-125EBL

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IS49RL36160-125EBL

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Especificaciones

Número de pieza

IS49RL36160-125EBL
Fabricante / Marca

Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IS49RL36160-125EBL.pdf
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página

-
Suministro de voltaje

1.28 V ~ 1.42 V
Tecnología

DRAM
Paquete del dispositivo

168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)
Serie

-
embalaje

Tray
Paquete / Cubierta

168-LBGA
Temperatura de funcionamiento

0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Tipo de memoria

Volatile
Tamaño de la memoria

576Mb (16M x 36)
Interfaz de memoria

Parallel
Formato de memoria

DRAM
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada

DRAM Memory IC 576Mb (16M x 36) Parallel 800MHz 10ns 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)
Frecuencia de reloj

800MHz
Tiempo de acceso

10ns

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